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Mechanically strong and room-temperature magnetocaloric monolayer VSi2N4 semiconductor
时间:2024-12-18作者:编辑:审核:阅读:213
作者信息：
学院：航空学院、物理学院
作者：何薇薇（第一作者），龚琦花（通讯作者）
论文简介：
本工作通过非线弹性响应揭示了VSi2N4的强力学特性，单层VSi2N4表现出相当大的平面杨氏模量 (E2D~350 N/m) 和40.8 N/m的高断裂强度，可与石墨烯媲美。此外，单层VSi2N4表现出室温磁热效应，制冷温度范围宽达20 K。通过施加双轴应变能够显著提高80.9%的最大磁熵变和197.3%的最大绝热温变。单层VSi2N4在室温下的磁热效应和宽广的工作温度范围，使其成为磁制冷应用中的有力候选材料。
论文链接：
He W, Yin Y, Tang Z, et al. Mechanically strong and room-temperature magnetocaloric monolayer VSi2N4 semiconductor[J]. Applied Physics Letters, 2024, 125: 022407.
期刊名：《Applied Physics Letters》