学院：航空学院

作者：Wenhui Sun, Shuiyan Cao, Wenfa Chen, Ying Liu, Siyuan He, Yuwei Zhang, Tao Zhou, Junchen Wu, Pin Lyu, Jinguo Liu, Dongyang Wan, Mingming Jiang, Caixia Kan, Shisheng Li, and Yanpeng Liu

成果简介：

本研究开发应力诱导各向异性刻蚀工艺，无模板实现二硫化钼可控图案化。单轴应力配合热退火可制备规整MoS2纳米带，带宽随应力增大减小；应力与晶向夹角调控边缘为直边或锯齿边，均以Mo锯齿端为主，发光强度提升8倍。双轴应力可刻蚀出方形阵列，DFT佐证边缘形成机理，为二维材料规模化边缘工程提供简易新路径。

论文链接：https://doi.org/10.1007/s40843-025-4097-3

期刊名：Science China Materials