成果展示
Doping-induced passivation of the Cu2ZnSnS4/MoS2 back interfaces
时间：2026-09-10作者：编辑：审核：阅读：216
学院：航空学院
作者：储亮丽，张助华
成果简介：
该工作通过第一性原理计算，研究了Cu2ZnSnS4/MoS2太阳能电池背界面的非辐射复合缺陷。发现界面处锡原子悬挂键与MoS2协同作用形成带隙缺陷态。氧掺杂替代硫可削弱锡-硫化钼轨道耦合，延长载流子寿命至2.38 ps；锌掺杂替代锡则完全饱和悬挂键，消除缺陷态，且界面形成能更低、实验可行性更高。该工作为钝化半导体界面缺陷提供了通用设计策略。
原始CZTS/MoS₂异质结和CZTS的电子结构
原型和Zn/O理过的CZTS/MoS₂异质结中的电荷捕获与复合动力学
论文链接：https://doi.org/10.1063/5.0321704
期刊名：《Applied Physics letters》