学院：航空学院

作者：Siyuan He, Shuiyan Cao, Ying Liu, Wenfa Chen, Pin Lyu, Weidian Li, Jincheng Bao, Wenhui Sun, Caixia Kan, Mingming Jiang, and Yanpeng Liu

论文简介：

本探究研究了X射线辐照调控Ga掺杂ZnO微米线发光性能的机制。作者发现，适度X射线剂量（≤150 Gy）可显著增强光致发光强度，最高实现约9倍提升，并使电致发光增强超过3倍。研究结合XPS、TEM及气氛控制实验表明，性能提升主要源于表面氧空位减少与晶格弛豫，从而优化载流子复合过程，为ZnO光电子器件性能调控提供了新策略。

论文链接：https://doi.org/10.1002/advs.202407144

期刊名：Advanced Science