作者信息:
学院:材料科学与技术学院
作者:许真铭
成果简介:
DFT计算及质子电导测试表明,适量质子与晶格水共嵌可在带隙中引入供体能级,降低带隙并提升电子电导,同时促进质子自扩散;过量晶格水则会形成氢键网络并诱发结构重组,导致带隙增大和空间位阻增强,削弱质子迁移。并利用计算得出最佳共嵌程度约为0.125–0.375。
论文链接:https//doi.org/10.1021/jacs.5c21246
期刊名:《Journal of the American Chemical Society》