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Thermoelectric Transport Properties of Monolayer GaN Semiconductor
时间：2026-05-09作者：编辑：审核：阅读：224
作者信息：
学院：材料科学与技术学院
作者：许真铭
论文简介：
采用密度泛函理论、玻尔兹曼输运理论和Slack模型系统地研究了单层氮化镓在不同温度下的热电特性。结果表明，由于能带简并和独特的电子结构，单层GaN具有显著的塞贝克系数和功率因数，特别是在p型材料中，功率因数在300 K时达到8 mWm−1K−2的峰值。
论文链接：
https://doi.org/10.1007/s11664-025-12157-2
期刊名：《Journal of Electronic Materials》
