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Large piezo/flexoeleetrie and flexomagnetie effect in semiconducting cobalt telluridemonolayer

时间:2026-05-07作者:编辑:审核:阅读:213

作者信息:

一作:

学院:航空学院

姓名刘颖


作者:

学院:航空学院

姓名:易敏


通讯作者:

学院:航空学院

姓名:刘衍朋


论文简介:


本工作通过第一原理计算,证明CoTe是在单层极限下实现高压电、柔电和柔磁响应的杰出候选材料。单层CoTe是具有0.48 eV大带宽的半导体,可通过平面内单轴或双轴应变进行调控。此外,单层CoTe单分子层的面外极化强度可达约21 pC m−1,挠曲电系数为∼0.08 nC m−1,挠曲磁系数为89.59 μB Å,超过大多数其他二维二元系统。这些发现不仅澄清了单层CoTe的基本结构和性质,也巩固了构建基于CoTe压电/柔曲电和柔磁器件的可行性和设计性。


论文链接:

https://doi.org/10.1039/D5NH00287G

期刊名:《Nanoscale Horizons




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